Descrição
Parâmetros técnicos
Descrição do produto
Parâmetro do produto
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Parâmetro
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Tipo
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CFBS-H2
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Padrões de teste
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IEC60269-4
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Tensão nominal Ue
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1000V CC
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Capacidade nominal de ruptura
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50kA
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Corrente nominal
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200-550A
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Constante de tempo
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1-15ms
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Classe operacional
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umR
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País de origem
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China
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Técnica de Fabricação
Certificações
perfil de companhia
Exposição
V. Selecionando o fusível semicondutor correto: diretrizes críticas
Maximize a proteção com estes princípios de engenharia:
Coordenação I²t
Fusível I²t Menor ou igual a 80% da classificação do semicondutor (por exemplo, para IGBT de 30.000 A²s, selecione fusível com Menor ou igual a 24.000 A²s).
Redução de tensão
Classificação de tensão do fusível Maior ou igual a 120% da tensão do sistema (por exemplo, fusível de 1000 V para barramento EV de 800 V).
Ambiente-Materiais Específicos
Cerâmica/areia: veículos elétricos-de alta vibração ou fazendas solares no deserto .
Selado-com epóxi: ambientes marinhos ou quimicamente agressivos .
