Descrição
Parâmetros técnicos
Descrição do produto
Parâmetro do produto
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Parâmetro
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Tipo
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CFBS-H01-UB/CFBS-H01-DB
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Padrões de teste
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IEC60269-4
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Tensão nominal Ue
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1000V CC
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Capacidade nominal de ruptura
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50kA
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Corrente nominal
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50-315A
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Constante de tempo
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1-15ms
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Classe operacional
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umR
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País de origem
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China
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Técnica de Fabricação
Certificações
perfil de companhia
Exposição
4. Sistemas de energia-à prova de futuro: inovações emergentes
1. Ampla-compatibilidade de semicondutores Bandgap
Os fusíveis-da próxima geração atendem às demandas exclusivas dos dispositivos SiC/GaN:
Higher di/dt tolerance: Asymmetric element designs handle switch speeds >100 kV/μs em MOSFETs SiC de 1200V.
I²t ultra-baixo: classificações menores ou iguais a 5.000 A²s protegem HEMTs GaN em amplificadores de potência de RF de 10 MHz.
